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MMUN2214LT1G

MMUN2214LT1G ON Semiconductor

dtc114yd.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
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Anzahl Preis
5000+0.029 EUR
9709+0.014 EUR
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Mindestbestellmenge: 5000
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Technische Details MMUN2214LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 5051
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3413+0.042 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.027 EUR
27000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3413
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB7F8ADE830749&compId=MMUN2214.PDF?ci_sign=0e9354d1b00e8bbbd8e3b4f8453e634b866a26d0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
747+0.096 EUR
1306+0.055 EUR
1553+0.046 EUR
1924+0.037 EUR
2243+0.032 EUR
2451+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB7F8ADE830749&compId=MMUN2214.PDF?ci_sign=0e9354d1b00e8bbbd8e3b4f8453e634b866a26d0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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2243+0.032 EUR
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 1095 Stücke:
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Anzahl Preis
91+0.19 EUR
145+0.12 EUR
233+0.076 EUR
500+0.055 EUR
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : onsemi DTC114Y-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 32113 Stücke:
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Anzahl Preis
15+0.2 EUR
23+0.12 EUR
100+0.077 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 31175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 390000 Stücke:
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MMUN2214LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMUN2214LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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