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MMUN2215LT1G

MMUN2215LT1G ON Semiconductor

dtc114t-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 372172 Stücke:
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Technische Details MMUN2215LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2016211 Stücke:
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 447000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3938+0.045 EUR
6000+0.039 EUR
9000+0.036 EUR
15000+0.031 EUR
21000+0.027 EUR
30000+0.026 EUR
75000+0.021 EUR
150000+0.02 EUR
300000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 3938 Stücke
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 36000 Stücke:
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3000+0.051 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2068 Stücke:
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1308+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1308 Stücke
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G onsemi dtc114t-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 105 Stücke:
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13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 37135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
124+0.17 EUR
202+0.1 EUR
500+0.075 EUR
1000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI 1708320.pdf Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ONSEMI 1708320.pdf Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 696 Stücke:
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681+0.37 EUR
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 677 Stücke:
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 404 Stücke
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MMUN2215LT1G ON-Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2215LT1G TMMUN2215
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2016211 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 22223 Stücke
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auf Bestellung 447000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3938+0.045 EUR
6000+0.039 EUR
9000+0.036 EUR
15000+0.031 EUR
21000+0.027 EUR
30000+0.026 EUR
75000+0.021 EUR
150000+0.02 EUR
300000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 3938 Stücke
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MMUN2215LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.051 EUR
6000+0.045 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 1308 Stücke
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Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MMUN2215LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 37135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+0.27 EUR
124+0.17 EUR
202+0.1 EUR
500+0.075 EUR
1000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 696 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
681+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMUN2215LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
681+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G dtc114t-d.pdf
MMUN2215LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 677 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 404 Stücke
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2215LT1G TMMUN2215
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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