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MMUN2215LT1G

MMUN2215LT1G ON Semiconductor

dtc114t-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMUN2215LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Hersteller : onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1518+0.10 EUR
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2215.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
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463+0.15 EUR
725+0.10 EUR
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2215.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
463+0.15 EUR
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2440+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 463
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1590+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 961
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Hersteller : onsemi dtc114t-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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1000+0.06 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Hersteller : onsemi dtc114t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Hersteller : ONSEMI 1708320.pdf Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21290 Stücke:
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Hersteller : ONSEMI 1708320.pdf Description: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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auf Bestellung 4039 Stücke:
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MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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