Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2216LT1G
MMUN2216LT1G

MMUN2216LT1G ON Semiconductor


mmun2211lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3847+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MMUN2216LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote MMUN2216LT1G nach Preis ab 0.03 EUR bis 2.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3847+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Hersteller : onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
75000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2216.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
585+0.12 EUR
834+0.09 EUR
981+0.07 EUR
1257+0.06 EUR
1846+0.04 EUR
2660+0.03 EUR
2809+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 585
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2216.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
585+0.12 EUR
834+0.09 EUR
981+0.07 EUR
1257+0.06 EUR
1846+0.04 EUR
2660+0.03 EUR
2809+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 585
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Hersteller : onsemi dtc143t-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 170421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+0.23 EUR
21+0.14 EUR
100+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Hersteller : onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 78574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+0.26 EUR
109+0.16 EUR
177+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc143t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc143t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH