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MMUN2233LT1G

MMUN2233LT1G ON Semiconductor

dtc143z-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMUN2233LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+0.02 EUR
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4274+0.034 EUR
6000+0.031 EUR
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27000+0.021 EUR
51000+0.02 EUR
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Hersteller : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 33000 Stücke:
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3000+0.041 EUR
6000+0.037 EUR
9000+0.034 EUR
15000+0.032 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17950 Stücke:
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13275+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21800 Stücke:
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Anzahl Preis
2725+0.053 EUR
3832+0.036 EUR
3862+0.035 EUR
5618+0.023 EUR
5682+0.022 EUR
5781+0.021 EUR
5814+0.02 EUR
6135+0.019 EUR
15000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 2725
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB9527C7208749&compId=MMUN2233.PDF?ci_sign=08b2a3b9664416be7ac0e49a267779ec25584bb6 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
734+0.098 EUR
1516+0.047 EUR
2101+0.034 EUR
2416+0.03 EUR
3677+0.019 EUR
4386+0.016 EUR
4951+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 734
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB9527C7208749&compId=MMUN2233.PDF?ci_sign=08b2a3b9664416be7ac0e49a267779ec25584bb6 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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Anzahl Preis
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1516+0.047 EUR
2101+0.034 EUR
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Hersteller : onsemi DTC143Z_D-1773621.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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14+0.21 EUR
23+0.12 EUR
100+0.076 EUR
500+0.058 EUR
1000+0.044 EUR
3000+0.037 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Hersteller : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 34968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.21 EUR
136+0.13 EUR
220+0.08 EUR
500+0.058 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Hersteller : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 943237 Stücke:
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Hersteller : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 943237 Stücke:
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Hersteller : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 42000 Stücke:
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MMUN2233LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2233LT1G ONS TMMUN2233
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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