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MMUN2235LT1G

MMUN2235LT1G ONSEMI

2353819.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3473+0.071 EUR
9000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3473 Stücke
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Technische Details MMUN2235LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G ON Semiconductor dtc123jd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1740+0.099 EUR
1835+0.093 EUR
2440+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 1740 Stücke
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MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G ON Semiconductor dtc123jd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1728+0.1 EUR
1819+0.092 EUR
2422+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 1728 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G ONSEMI MMUN2235.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 47kΩ
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
569+0.15 EUR
857+0.1 EUR
1027+0.083 EUR
1296+0.065 EUR
1525+0.056 EUR
1767+0.048 EUR
1916+0.044 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
107+0.2 EUR
172+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G onsemi dtc123j-d.pdf Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G ONSEMI 2353819.pdf Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+0.39 EUR
1068+0.21 EUR
1704+0.13 EUR
2381+0.09 EUR
2696+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
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MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G ONSEMI 2353819.pdf Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+0.39 EUR
1068+0.21 EUR
1704+0.13 EUR
2381+0.09 EUR
2696+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 934 Stücke
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MMUN2235LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1740+0.099 EUR
1835+0.093 EUR
2440+0.068 EUR
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MMUN2235LT1G dtc123jd.pdf
MMUN2235LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1728+0.1 EUR
1819+0.092 EUR
2422+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 1728 Stücke
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MMUN2235LT1G MMUN2235.PDF
MMUN2235LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 47kΩ
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
417+0.2 EUR
569+0.15 EUR
857+0.1 EUR
1027+0.083 EUR
1296+0.065 EUR
1525+0.056 EUR
1767+0.048 EUR
1916+0.044 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
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MMUN2235LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+0.33 EUR
107+0.2 EUR
172+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
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MMUN2235LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
auf Bestellung 1946 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1G 2353819.pdf
MMUN2235LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
642+0.39 EUR
1068+0.21 EUR
1704+0.13 EUR
2381+0.09 EUR
2696+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
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MMUN2235LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
642+0.39 EUR
1068+0.21 EUR
1704+0.13 EUR
2381+0.09 EUR
2696+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1G dtc123j-d.pdf
MMUN2235LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 934 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH