MMUN2237LT1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details MMUN2237LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMUN2237LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote MMUN2237LT1G nach Preis ab 0.033 EUR bis 4.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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MMUN2237LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMUN2237LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 261000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2237LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2237LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMUN2237LT1G | Hersteller : ONSEMI |
MMUN2237LT1G NPN SMD transistors |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMUN2237LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR |
auf Bestellung 15199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMUN2237LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2237LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2237LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
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