MPLAD15KP51CAE3 Microsemi HI-REL [MIL]
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Technische Details MPLAD15KP51CAE3 Microsemi HI-REL [MIL]
Category: Bidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 15kW; 56.7÷62.7V; 183A; bidirectional; PLAD, Mounting: SMD, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 183A, Breakdown voltage: 56.7...62.7V, Leakage current: 10µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 15kW, Case: PLAD, Max. off-state voltage: 51V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MPLAD15KP51CAE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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MPLAD15KP51CAE3 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 15kW; 56.7÷62.7V; 183A; bidirectional; PLAD Mounting: SMD Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 183A Breakdown voltage: 56.7...62.7V Leakage current: 10µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 15kW Case: PLAD Max. off-state voltage: 51V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MPLAD15KP51CAE3 | Hersteller : Microchip / Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS |
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MPLAD15KP51CAE3 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS |
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MPLAD15KP51CAE3 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 15kW; 56.7÷62.7V; 183A; bidirectional; PLAD Mounting: SMD Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 183A Breakdown voltage: 56.7...62.7V Leakage current: 10µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 15kW Case: PLAD Max. off-state voltage: 51V |
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