MPLAD6.5KP10CAE3 Microchip Technology
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Technische Details MPLAD6.5KP10CAE3 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD, Packaging: Bulk, Package / Case: Nonstandard SMD, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 383A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V, Supplier Device Package: PLAD, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 11.1V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V, Power - Peak Pulse: 6500W (6.5kW), Power Line Protection: No.
Weitere Produktangebote MPLAD6.5KP10CAE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MPLAD6.5KP10CAE3 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 6.5kW; 11.1÷12.3V; 383A; bidirectional; PLAD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.5kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.1...12.3V Max. forward impulse current: 383A Semiconductor structure: bidirectional Case: PLAD Mounting: SMD Leakage current: 15µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MPLAD6.5KP10CAE3 | Hersteller : MICROSEMI |
MPLAD6.5KP10CAE3 MPLAD6.5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MPLAD6.5KP10CAE3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD Packaging: Bulk Package / Case: Nonstandard SMD Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 383A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V Supplier Device Package: PLAD Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V Power - Peak Pulse: 6500W (6.5kW) Power Line Protection: No |
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| MPLAD6.5KP10CAE3 | Hersteller : Microchip / Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS |
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MPLAD6.5KP10CAE3 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes Bi-Directional TVS |
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| MPLAD6.5KP10CAE3 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 6.5kW; 11.1÷12.3V; 383A; bidirectional; PLAD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.5kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.1...12.3V Max. forward impulse current: 383A Semiconductor structure: bidirectional Case: PLAD Mounting: SMD Leakage current: 15µA |
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