Produkte > ONSEMI > MPSW01G
MPSW01G

MPSW01G onsemi


mpsw01-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1A TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 59557 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1665+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1665
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MPSW01G onsemi

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92, Packaging: Box, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 1 W.

Weitere Produktangebote MPSW01G nach Preis ab 0.43 EUR bis 0.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MPSW01G MPSW01G Hersteller : Sanyo ONSMS19650-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 30V 1A TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1665+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1665
MPSW01G mpsw01-d.pdf ONSMS19650-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 39990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MPSW01G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013307708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MPSW01G - MPSW01G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 59557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MPSW01G Hersteller : ON Semiconductor mpsw01-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
MPSW01G MPSW01G Hersteller : ON Semiconductor mpsw01-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
MPSW01G MPSW01G Hersteller : onsemi mpsw01-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 1A TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
MPSW01G MPSW01G Hersteller : onsemi MPSW01_D-2316336.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 40V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MPSW01G Hersteller : Diodes Incorporated mpsw01-d.pdf ONSMS19650-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar