MRF5S21130HSR5 Freescale Semiconductor


Hersteller: Freescale Semiconductor
Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
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Technische Details MRF5S21130HSR5 Freescale Semiconductor

Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21130HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 372 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-880S, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz, Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: 372W, Bauform - Transistor: NI-880S, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MRF5S21130HSR5 Hersteller : NXP (VIA ROCHESTER) 4158989.pdf Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21130HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 372 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-880S
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz
Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: 372W
Bauform - Transistor: NI-880S
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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