MRF6S19120HR5 Freescale Semiconductor
Hersteller: Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-957A
Frequency: 1.99GHz
Power - Output: 19W
Gain: 15dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1 A
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|---|---|
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Technische Details MRF6S19120HR5 Freescale Semiconductor
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S19120HR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1.93 GHz, 1.99 GHz, NI-780, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: -W, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF6S19120HR5 | Hersteller : NXP (VIA ROCHESTER) |
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S19120HR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1.93 GHz, 1.99 GHz, NI-780 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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