MRF6S9130HSR5 Freescale Semiconductor

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S
Frequency: 880MHz
Power - Output: 27W
Gain: 19.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 950 mA
auf Bestellung 50 Stücke:
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Anzahl | Preis |
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5+ | 122.69 EUR |
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Technische Details MRF6S9130HSR5 Freescale Semiconductor
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S9130HSR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 865 MHz, 960 MHz, NI-780S, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 960MHz, Betriebsfrequenz, min.: 865MHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: -W, Bauform - Transistor: NI-780S, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MRF6S9130HSR5 | Hersteller : NXP (VIA ROCHESTER) |
![]() tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 960MHz Betriebsfrequenz, min.: 865MHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-780S Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRF6S9130HSR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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