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MRF6S9130HSR5 Freescale Semiconductor

MRF6S9130H.pdf Hersteller: Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S
Frequency: 880MHz
Power - Output: 27W
Gain: 19.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 950 mA
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Technische Details MRF6S9130HSR5 Freescale Semiconductor

Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S9130HSR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 865 MHz, 960 MHz, NI-780S, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 960MHz, Betriebsfrequenz, min.: 865MHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: -W, Bauform - Transistor: NI-780S, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MRF6S9130HSR5 Hersteller : NXP (VIA ROCHESTER) 4158999.pdf Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S9130HSR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 865 MHz, 960 MHz, NI-780S
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 960MHz
Betriebsfrequenz, min.: 865MHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: -W
Bauform - Transistor: NI-780S
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MRF6S9130HSR5 Hersteller : NXP Semiconductors freescale_mrf6s9130h.pdf RF MOSFET Transistors HV6 900MHZ 130W NI780HS
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