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MSA1162GT1G

MSA1162GT1G ON Semiconductor

msa1162gt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 58238 Stücke:
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Technische Details MSA1162GT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSA1162GT1G MSA1162GT1G onsemi msa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.1A SC59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.051 EUR
6000+0.048 EUR
9000+0.04 EUR
30000+0.038 EUR
75000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MSA1162GT1G MSA1162GT1G ON Semiconductor msa1162gt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 58238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1170+0.15 EUR
1842+0.092 EUR
3985+0.04 EUR
6250+0.025 EUR
8772+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1170 Stücke
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MSA1162GT1G MSA1162GT1G onsemi MSA1162GT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP
auf Bestellung 3242 Stücke:
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16+0.21 EUR
23+0.14 EUR
100+0.092 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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MSA1162GT1G MSA1162GT1G onsemi msa1162gt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 149052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
100+0.21 EUR
186+0.11 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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MSA1162GT1G MSA1162GT1G ONSEMI msa1162gt1-d.pdf Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.3 EUR
1473+0.15 EUR
2193+0.098 EUR
2874+0.075 EUR
3247+0.065 EUR
5000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
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MSA1162GT1G MSA1162GT1G ONSEMI msa1162gt1-d.pdf Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2193+0.098 EUR
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MSA1162GT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SC59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 147000 Stücke:
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9000+0.04 EUR
30000+0.038 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Mindestbestellmenge: 1170 Stücke
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1000+0.061 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.031 EUR
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MSA1162GT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 149052 Stücke:
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1000+0.062 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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834+0.3 EUR
1473+0.15 EUR
2193+0.098 EUR
2874+0.075 EUR
3247+0.065 EUR
5000+0.056 EUR
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MSA1162GT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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834+0.3 EUR
1473+0.15 EUR
2193+0.098 EUR
2874+0.075 EUR
3247+0.065 EUR
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