MSA1162GT1G ON Semiconductor
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Technische Details MSA1162GT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MSA1162GT1G nach Preis ab 0.014 EUR bis 0.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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MSA1162GT1G | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS PNP 50V 0.1A SC59Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
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MSA1162GT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MSA1162GT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP |
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MSA1162GT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
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MSA1162GT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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MSA1162GT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSA1162GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| MSA1162GT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MSA1162GT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSA1162GT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MSA1162GT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MSA1162GT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
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