MSC017SMA120B Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details MSC017SMA120B Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 455W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ), Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote MSC017SMA120B nach Preis ab 68.05 EUR bis 112.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247 |
auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
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| MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
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| MSC017SMA120B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 80A; Idm: 280A; 455W Power dissipation: 455W Mounting: THT Case: TO247-3 Gate charge: 249nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 280A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 80A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247 |
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| MSC017SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247 |
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| MSC017SMA120B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 80A; Idm: 280A; 455W Power dissipation: 455W Mounting: THT Case: TO247-3 Gate charge: 249nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 280A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 80A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
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