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MSC025SMA120B4

MSC025SMA120B4 Microchip Technology

MSC025SMA120B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Hersteller: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
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Technische Details MSC025SMA120B4 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 500W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSC025SMA120B4 MSC025SMA120B4 MICROCHIP 1244597-msc025sma120b4-datasheet Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
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