Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSC025SMA120B4
MSC025SMA120B4

MSC025SMA120B4 Microchip Technology


MSC025SMA120B_SiC_MOSFET_Datasheet-3444486.pdf Hersteller: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
auf Bestellung 356 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+69.10 EUR
30+63.73 EUR
120+55.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MSC025SMA120B4 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote MSC025SMA120B4 nach Preis ab 45.60 EUR bis 76.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MSC025SMA120B4 MSC025SMA120B4 Hersteller : MICROCHIP 1244597-msc025sma120b4-datasheet Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120B4 Hersteller : Microchip Technology microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+60.82 EUR
10+58.06 EUR
25+45.60 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120B4 Hersteller : Microchip Technology microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+64.41 EUR
10+59.16 EUR
25+51.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120B4 Hersteller : Microchip Technology microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+66.01 EUR
5+57.18 EUR
10+53.26 EUR
20+50.79 EUR
50+46.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120B4 Hersteller : Microchip Technology microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+76.32 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120B4 Hersteller : Microchip Technology microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120B4 Hersteller : Microchip Technology microsemi_msc025sma120b_datasheet_revc.pdf 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120B4 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 1244597-msc025sma120b4-datasheet MSC025SMA120B4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC025SMA120B4 MSC025SMA120B4 Hersteller : Microchip Technology 1244597-msc025sma120b4-datasheet Description: TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH