MSC030SMB120B4N Microchip Technology
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Technische Details MSC030SMB120B4N Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 69A; Idm: 161A; 310W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 69A, Pulsed drain current: 161A, Power dissipation: 310W, Case: TO247-4-notch, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 91nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Family: SMB.
Weitere Produktangebote MSC030SMB120B4N nach Preis ab 14.24 EUR bis 17.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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| MSC030SMB120B4N | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM TO-247Packaging: Tube |
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| MSC030SMB120B4N | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 69A; Idm: 161A; 310W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 69A Pulsed drain current: 161A Power dissipation: 310W Case: TO247-4-notch On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Family: SMB |
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