MSC030SMB120B4N Microchip Technology
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 17.67 EUR |
| 30+ | 16.28 EUR |
| 120+ | 14.19 EUR |
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Technische Details MSC030SMB120B4N Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC030SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote MSC030SMB120B4N nach Preis ab 14.24 EUR bis 17.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MSC030SMB120B4N | MICROCHIP |
 Description: MICROCHIP - MSC030SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: mSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MSC030SMB120B4N | Microchip Technology |
Description: MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM TO-247 Packaging: Tube |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MSC030SMB120B4N |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC030SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: MICROCHIP - MSC030SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MSC030SMB120B4N |
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auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 17.74 EUR |
| 25+ | 16.36 EUR |
| 100+ | 14.24 EUR |