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MSC035SMA070B4

MSC035SMA070B4 Microchip Technology

MSC035SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Hersteller: Microchip Technology
SiC MOSFETs FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
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Technische Details MSC035SMA070B4 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSC035SMA070B4 MSC035SMA070B4 Microchip Technology MSC035SMA070B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Description: TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
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MSC035SMA070B4 MSC035SMA070B4 MICROCHIP 3683074.pdf Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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MSC035SMA070B4 Microchip Technology microsemi_msc035sma070b_sic_mosfet_datasheet_c.pdf 700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
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MSC035SMA070B4 Microchip Technology microsemi_msc035sma070b_sic_mosfet_datasheet_c.pdf 700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
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Description: TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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MSC035SMA070B4
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
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