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Technische Details MSC040SMA120B Microsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 323W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote MSC040SMA120B nach Preis ab 29.63 EUR bis 58.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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MSC040SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC040SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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MSC040SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 323W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MSC040SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247 |
auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MSC040SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC040SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC040SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC040SMA120B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W Power dissipation: 323W Mounting: THT Case: TO247-3 Gate charge: 137nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 105A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC040SMA120B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W Power dissipation: 323W Mounting: THT Case: TO247-3 Gate charge: 137nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 105A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
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