Technische Details MSC040SMA120B Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 323W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Weitere Produktangebote MSC040SMA120B nach Preis ab 42.58 EUR bis 54.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC040SMA120B | Microsemi |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A Tube |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||
 |
MSC040SMA120B | Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247 |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||
 |
MSC040SMA120B | Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 323W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||
 |
MSC040SMA120B | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||
 |
MSC040SMA120B | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 323W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
|
|
MSC040SMA120B | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
|
|
MSC040SMA120B | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MSC040SMA120B |
|
Hersteller: Microsemi
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 64A Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 42.58 EUR |
| MSC040SMA120B |
|
Hersteller: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 43.65 EUR |
| MSC040SMA120B |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 323W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 323W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 44.48 EUR |
| MSC040SMA120B |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 54.79 EUR |
| MSC040SMA120B |
|
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 323W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 323W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MSC040SMA120B |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MSC040SMA120B |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)