MSC040SMA120B4 Microchip Technology
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Technische Details MSC040SMA120B4 Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 323W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote MSC040SMA120B4 nach Preis ab 15.57 EUR bis 40.77 EUR
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 |
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 323W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V |
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 323W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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| MSC040SMA120B4 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
MSC040SMA120B4 THT N channel transistors |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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