MSC040SMA120B4 MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Family: SMA
Polarisation: unipolar
Gate charge: 137nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 323W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 105A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 19.28 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MSC040SMA120B4 MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 323W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote MSC040SMA120B4 nach Preis ab 19.28 EUR bis 40.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MSC040SMA120B4 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Family: SMA Polarisation: unipolar Gate charge: 137nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 323W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 105A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 323W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
MSC040SMA120B4 | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC040SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 323W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
| MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||
|
|
MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
MSC040SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |