MSC050SDA120B Microchip Technology

Description: DIODE SIC 1.2KV 109A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 43 Stücke:
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Anzahl | Preis |
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Technische Details MSC050SDA120B Microchip Technology
Description: DIODE SIC 1.2KV 109A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 109A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote MSC050SDA120B nach Preis ab 22.7 EUR bis 28.28 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSC050SDA120B | Hersteller : Microchip Technology |
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