MSC050SDA120BCT Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: DIODE SIC 1.2KV 109A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 296 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 25+ | 71.89 EUR |
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Technische Details MSC050SDA120BCT Microchip Technology
Description: DIODE SIC 1.2KV 109A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 109A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote MSC050SDA120BCT nach Preis ab 61.75 EUR bis 79.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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MSC050SDA120BCT | Hersteller : Microchip Technology |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC SBD 1200 V 50 A TO-247 |
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| MSC050SDA120BCT | Hersteller : Microchip Technology |
SIC SBD 1200 V 50 A TO-247 |
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| MSC050SDA120BCT | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
MSC050SDA120BCT THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |