MSC050SDA120BCT Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 53.70 EUR |
| 30+ | 49.51 EUR |
| 510+ | 43.10 EUR |
| 5010+ | 41.80 EUR |
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Technische Details MSC050SDA120BCT Microchip Technology
Description: DIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 109A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote MSC050SDA120BCT nach Preis ab 44.36 EUR bis 55.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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MSC050SDA120BCT | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 246pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 109A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
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| MSC050SDA120BCT | Hersteller : Microchip Technology |
SIC SBD 1200 V 50 A TO-247 |
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| MSC050SDA120BCT | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
MSC050SDA120BCT THT Schottky diodes |
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