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MSC080SMA120B4

MSC080SMA120B4 Microchip Technology

MSC080SMA120B_SiC_MOSFET_Datasheet.pdf
Hersteller: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
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Technische Details MSC080SMA120B4 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSC080SMA120B4 MSC080SMA120B4 Microchip Technology MSC080SMA120B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
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MSC080SMA120B4 MSC080SMA120B4 MICROCHIP 3683080.pdf Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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MSC080SMA120B4 MSC080SMA120B4 MICROCHIP TECHNOLOGY MSC080SMA120B4-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W; SMA
Power dissipation: 200W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.1Ω
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 90A
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MSC080SMA120B4 Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
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9+21.31 EUR
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MSC080SMA120B4 Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
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MSC080SMA120B4 Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
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8+22.79 EUR
10+21.06 EUR
30+18.2 EUR
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MSC080SMA120B4 Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
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10+20.61 EUR
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MSC080SMA120B4 Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
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MSC080SMA120B4 Microchip Technology microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
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MSC080SMA120B4
Hersteller: Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
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MSC080SMA120B4
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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MSC080SMA120B4
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W; SMA
Power dissipation: 200W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Family: SMA
On-state resistance: 0.1Ω
Manufacturer standard package: 30pcs.
Pulsed drain current: 90A
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Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
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Hersteller: Microchip Technology
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
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MSC080SMA120B4 microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf
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Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
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Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
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MSC080SMA120B4 microsemi_msc080sma120b4_sic_mosfet_datasheet_ati.pdf
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Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
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Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 30 Stücke:
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