MSC080SMA330B4 Microchip Technology
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 230.84 EUR |
| 30+ | 212.87 EUR |
| 120+ | 185.24 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MSC080SMA330B4 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 3.3 kV, 0.084 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 381W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote MSC080SMA330B4 nach Preis ab 214.52 EUR bis 232.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC080SMA330B4 | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 381W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
MSC080SMA330B4 | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 3.3 kV, 0.084 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 381W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
| MSC080SMA330B4 | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET SIC 3300 V 80 mOhm TO-247-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
| MSC080SMA330B4 | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET SIC 3300 V 80 mOhm TO-247-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
| MSC080SMA330B4 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
MSC080SMA330B4 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |