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MSC080SMA330B4N

MSC080SMA330B4N Microchip Technology


00004397A_MSC080SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet.PDF
Hersteller: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
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Technische Details MSC080SMA330B4N Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 3.3 kV, 0.106 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 439W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

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MSC080SMA330B4N MSC080SMA330B4N Hersteller : Microchip Technology 00004397A_MSC080SMA330B4_SiC_MOSFET_Datasheet.PDF Description: MOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 381W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V
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MSC080SMA330B4N MSC080SMA330B4N Hersteller : MICROCHIP MSC080SMA330B4N-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 3.3 kV, 0.106 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 439W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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