MSC080SMA330B4N Microchip Technology
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 113.67 EUR |
| 30+ | 104.83 EUR |
| 120+ | 91.21 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MSC080SMA330B4N Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 3.3 kV, 0.106 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 439W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm.
Weitere Produktangebote MSC080SMA330B4N nach Preis ab 94.06 EUR bis 136.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC080SMA330B4N | Microchip Technology |
 Description: MOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247-Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 381W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
MSC080SMA330B4N | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 3.3 kV, 0.106 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 439W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: mSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| MSC080SMA330B4N |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 381W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V
Description: MOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 381W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 113.75 EUR |
| MSC080SMA330B4N |
|
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 3.3 kV, 0.106 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 439W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
Description: MICROCHIP - MSC080SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 3.3 kV, 0.106 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 439W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 136.74 EUR |
| 25+ | 122.03 EUR |
| 100+ | 108.09 EUR |
| 250+ | 94.06 EUR |