MSC180SMA120B Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Description: MOSFET 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
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Technische Details MSC180SMA120B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 127W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 127W, Case: TO247-3, On-state resistance: 0.225Ω, Mounting: THT, Gate charge: 34nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MSC180SMA120B nach Preis ab 9.52 EUR bis 15.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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MSC180SMA120B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 127W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 127W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.225Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC180SMA120B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 127W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 127W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.225Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC180SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MSC180SMA120B | Hersteller : Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247 |
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