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MSC400SMA330B4N

MSC400SMA330B4N MICROCHIP

MSC400SMA330B4N-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC400SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 3.3 kV, 0.5 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 60 Stücke:
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Technische Details MSC400SMA330B4N MICROCHIP

Description: MICROCHIP - MSC400SMA330B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 12 A, 3.3 kV, 0.5 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSC400SMA330B4N Microchip product-ds.MSC400SMA330.pdf MOSFET SIC 3300V 400 MOHM TO-247 Силові MOSFET-модулі
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MSC400SMA330B4N MSC400SMA330B4N Microchip Technology product-ds.MSC400SMA330.pdf Description: MOSFET SIC 3300V 400 MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 579 pF @ 2400 V
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MSC400SMA330B4N MSC400SMA330B4N Microchip Technology product-ds.MSC400SMA330.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 400 mOhm TO-247-4L-Notch
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MSC400SMA330B4N MSC400SMA330B4N Microchip Technology 00004433a_msc400sma330b4_sic_mosfet_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 11A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Description: MOSFET SIC 3300V 400 MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 579 pF @ 2400 V
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SiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 400 mOhm TO-247-4L-Notch
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Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 11A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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