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MSCDC50X1701AG Microchip Technology


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Hersteller: Microchip Technology
Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV
Technology: Silicon Carbide Schottky
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Three Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tube
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Technische Details MSCDC50X1701AG Microchip Technology

Description: PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Average Rectified (Io): 50 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV, Technology: Silicon Carbide Schottky, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Diode Type: Three Phase, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MSCDC50X1701AG MSCDC50X1701AG Microchip Technology Microsemi_MSCDC50X1701AG_SiC_Diode_3_Phase_Bridge_Final.pdf Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
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