MSCSM70HM19CT3AG Microchip Technology
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Technische Details MSCSM70HM19CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SP3F; Press-in PCB; 365W, Case: SP3F, Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 250A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 98A, On-state resistance: 19mΩ, Power dissipation: 365W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| MSCSM70HM19CT3AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SP3F; Press-in PCB; 365W Case: SP3F Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 250A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 700V Drain current: 98A On-state resistance: 19mΩ Power dissipation: 365W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSCSM70HM19CT3AG | Hersteller : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F |
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| MSCSM70HM19CT3AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SP3F; Press-in PCB; 365W Case: SP3F Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 250A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 700V Drain current: 98A On-state resistance: 19mΩ Power dissipation: 365W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC |
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