MSD601-RT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.06 EUR |
| 6000+ | 0.05 EUR |
| 9000+ | 0.04 EUR |
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Technische Details MSD601-RT1G onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.
Weitere Produktangebote MSD601-RT1G nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MSD601-RT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSD601-RT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN |
auf Bestellung 12530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSD601-RT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSD601-RT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 16629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSD601-RT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSD601-RT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSD601-RT1G | Hersteller : ON |
00+ SOT-23 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MSD601-RT1G | Hersteller : ON |
09+ |
auf Bestellung 195018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MSD601-RT1G | Hersteller : ON |
SOT23 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MSD601-RT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MSD601-RT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSD601-RT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 336000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSD601-RT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSD601-RT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSD601-RT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |