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MSD601-RT1G

MSD601-RT1G ON Semiconductor

msd601rt1d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
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Technische Details MSD601-RT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-59.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSD601-RT1G MSD601-RT1G ON Semiconductor msd601rt1d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
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MSD601-RT1G MSD601-RT1G ON Semiconductor msd601rt1d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
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MSD601-RT1G MSD601-RT1G onsemi msd601-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.069 EUR
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9000+0.052 EUR
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MSD601-RT1G MSD601-RT1G onsemi MSD601_RT1_D-1387765.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
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MSD601-RT1G MSD601-RT1G onsemi msd601-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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53+0.39 EUR
75+0.29 EUR
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500+0.11 EUR
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MSD601-RT1G ONSEMI ONSMS24919-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MSD601-RT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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auf Bestellung 336000 Stücke:
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MSD601-RT1G ON msd601-rt1-d.pdf 09+
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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75+0.29 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSD601-RT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 336000 Stücke:
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16447+0.073 EUR
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MSD601-RT1G msd601-rt1-d.pdf
Hersteller: ON
09+
auf Bestellung 195018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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