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MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
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Anzahl Preis
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Technische Details MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: TO-236, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote MT3S111(TE85L,F) nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) Hersteller : Toshiba MT3S111_datasheet_en_20140926-1316009.pdf RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 700mW
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MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) Hersteller : TOSHIBA 3622413.pdf Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) Hersteller : TOSHIBA 3622413.pdf Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) Hersteller : Toshiba 449docget.jsptypedatasheetlangenpidmt3s111.jsptypedatasheetlangenpid.pdf Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 160mW 3-Pin S-Mini T/R
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MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111 Description: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 700mW
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
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