Produkte > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > MT3S111(TE85L,F)
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+1 EUR
25+0.84 EUR
27+0.8 EUR
100+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 700mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 11.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MT3S111(TE85L,F) nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) Toshiba MT3S111_datasheet_en_20140926-1316009.pdf RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 700mW
auf Bestellung 5878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+1.14 EUR
100+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) TOSHIBA MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111 Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F) TOSHIBA MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111 Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111(TE85L,F) MT3S111_datasheet_en_20140926-1316009.pdf
MT3S111(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 700mW
auf Bestellung 5878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.29 EUR
10+1.14 EUR
100+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111(TE85L,F) MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111
MT3S111(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111(TE85L,F) MT3S111_datasheet_en_20140926.pdf?did=22547&prodName=MT3S111
MT3S111(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH