MT47H256M8EB-25E:C Micron Technology Inc.
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-FBGA (9x11.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 127.82 EUR |
| 10+ | 118.04 EUR |
| 25+ | 114.19 EUR |
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Technische Details MT47H256M8EB-25E:C Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 2Gbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 400MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 60Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit.
Weitere Produktangebote MT47H256M8EB-25E:C
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MT47H256M8EB-25EC |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MT47H256M8EB-25EC |
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