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Technische Details MT47H256M8EB-25E:C Micron
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 2Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 400MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 60Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote MT47H256M8EB-25E:C
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MT47H256M8EB-25E:C | Hersteller : MICRON |
 Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| MT47H256M8EB-25EC |
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| MT47H256M8EB-25E:C | Hersteller : Micron |
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auf Bestellung 6240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MT47H256M8EB-25E:C | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray |
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MT47H256M8EB-25E:C | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MT47H256M8EB-25E:C | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA Packaging: Tray Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-FBGA (9x11.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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