MT47H64M8SH-25E IT:H Texas Instruments
Hersteller: Texas Instruments8-bit Memory IC; 64Mb-SDRAM; 1,7~1,9V; -40~95°C; MT47H64M8SH-25E:H; MT47H64M8CF-25E:G; MT47H64M8SH-25E IT:H PSD47H64m8sh25eith
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Technische Details MT47H64M8SH-25E IT:H Texas Instruments
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA, Packaging: Bulk, Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SDRAM - DDR2, Clock Frequency: 400 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10), Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 400 ps, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| MT47H64M8SH-25EIT:H | Hersteller : Micron |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MT47H64M8SH-25E IT:H | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Packaging: Bulk Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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MT47H64M8SH-25E IT:H | Hersteller : Micron |
DRAM DDR2 512M 64MX8 FBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |