MT47H64M8SH-25E:H Micron Technology Inc.
Hersteller: Micron Technology Inc.Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.66 EUR |
| 10+ | 6.79 EUR |
| 25+ | 6.47 EUR |
| 50+ | 6.24 EUR |
| 100+ | 6.02 EUR |
| 250+ | 5.75 EUR |
| 500+ | 5.54 EUR |
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Technische Details MT47H64M8SH-25E:H Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT47H64M8SH-25E:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 400 MHz, TFBGA, 60 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 400MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 60Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote MT47H64M8SH-25E:H nach Preis ab 5.58 EUR bis 7.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MT47H64M8SH-25E:H | Hersteller : Micron |
DRAM DDR2 512Mbit 8 60/99 TFBGA 1 CT |
auf Bestellung 1173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MT47H64M8SH-25E:H | Hersteller : MICRON |
Description: MICRON - MT47H64M8SH-25E:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 400 MHz, TFBGA, 60 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT47H64M8SH-25E:H | Hersteller : Micron |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MT47H64M8SH-25E:H | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA |
auf Bestellung 3036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT47H64M8SH-25E:H | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray |
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