| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.21 EUR |
| 10+ | 5.79 EUR |
| 25+ | 5.63 EUR |
| 50+ | 5.44 EUR |
| 100+ | 5.24 EUR |
| 250+ | 5.14 EUR |
| 500+ | 4.98 EUR |
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Technische Details MT47H64M8SH-25E:H Micron
Description: MICRON - MT47H64M8SH-25E:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 400 MHz, TFBGA, 60 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 512Mbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 400MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 60Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.
Weitere Produktangebote MT47H64M8SH-25E:H nach Preis ab 6.21 EUR bis 7.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MT47H64M8SH-25E:H | Micron Technology Inc. |
 Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGAPackaging: Bulk Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MT47H64M8SH-25E:H | MICRON |
Description: MICRON - MT47H64M8SH-25E:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 400 MHz, TFBGA, 60 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 512Mbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit |
auf Bestellung 1369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MT47H64M8SH-25E:H | Micron |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MT47H64M8SH-25E:H |
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Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.44 EUR |
| 10+ | 6.94 EUR |
| 25+ | 6.73 EUR |
| 50+ | 6.58 EUR |
| 100+ | 6.42 EUR |
| 250+ | 6.21 EUR |
| MT47H64M8SH-25E:H |
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Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT47H64M8SH-25E:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 400 MHz, TFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
Description: MICRON - MT47H64M8SH-25E:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 400 MHz, TFBGA, 60 Pin(s)
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DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
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IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MT47H64M8SH-25E:H |
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Hersteller: Micron
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)