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Technische Details MT53E1G32D2FW-046 AAT:C Micron
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 32Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote MT53E1G32D2FW-046 AAT:C
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MT53E1G32D2FW-046 AAT:C | Hersteller : Micron Technology |
 LPDDR DRAM Automotive AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MT53E1G32D2FW-046 AAT:C | Hersteller : Micron Technology | LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MT53E1G32D2FW-046 AAT:C | Hersteller : MICRON |
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MT53E1G32D2FW-046 AAT:C | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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