| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 24.6 EUR |
| 10+ | 22.81 EUR |
| 25+ | 19.73 EUR |
| 50+ | 19.48 EUR |
| 100+ | 18.99 EUR |
| 250+ | 18.55 EUR |
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Technische Details MT53E256M16D1DS-046 AAT:B Micron
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote MT53E256M16D1DS-046 AAT:B nach Preis ab 33.6 EUR bis 40.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MT53E256M16D1DS-046 AAT:B | Micron Technology Inc. |
 Description: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGAPackaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Memory Organization: 256M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MT53E256M16D1DS-046 AAT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MT53E256M16D1DS-046 AAT:B |
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Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 40.74 EUR |
| 10+ | 37.74 EUR |
| 25+ | 36.54 EUR |
| 50+ | 35.65 EUR |
| 100+ | 34.76 EUR |
| 250+ | 33.6 EUR |
| MT53E256M16D1DS-046 AAT:B |
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Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
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IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
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Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)