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Technische Details MT53E256M16D1DS-046 AAT:B Micron
Description: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 200-WFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC), Voltage - Supply: 1.1V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4, Clock Frequency: 2.133 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5), Memory Organization: 256M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Weitere Produktangebote MT53E256M16D1DS-046 AAT:B nach Preis ab 15.04 EUR bis 18.6 EUR
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MT53E256M16D1DS-046 AAT:B | Hersteller : Micron Technology Inc. |
 Description: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGAPackaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Memory Organization: 256M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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