MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron Technology Inc.
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 32
Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 32
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 18.36 EUR |
10+ | 16.99 EUR |
25+ | 16.61 EUR |
40+ | 16.52 EUR |
80+ | 14.54 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 WT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote MT53E256M32D1KS-046 WT:L nach Preis ab 26.28 EUR bis 32.68 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MT53E256M32D1KS-046 WT:L | Hersteller : Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 WT |
auf Bestellung 2620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53E256M32D1KS-046 WT:L | Hersteller : MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 1060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |