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Technische Details MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron
Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 WT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote MT53E256M32D1KS-046 WT:L nach Preis ab 14.54 EUR bis 18.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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MT53E256M32D1KS-046 WT:L | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5) Memory Interface: Parallel Memory Organization: 256M x 32 |
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MT53E256M32D1KS-046 WT:L | Hersteller : MICRON |
 Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 WT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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