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MT53E256M32D1KS-046 WT:L

MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron Technology Inc.


Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 32
auf Bestellung 167 Stücke:
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AnzahlPreis
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Technische Details MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 WT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit.

Weitere Produktangebote MT53E256M32D1KS-046 WT:L nach Preis ab 21.84 EUR bis 27.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MT53E256M32D1KS-046 WT:L MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 WT
auf Bestellung 3764 Stücke:
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1+27.95 EUR
10+26.01 EUR
25+25.73 EUR
50+25.12 EUR
100+22.86 EUR
250+22.3 EUR
500+21.84 EUR
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MT53E256M32D1KS-046 WT:L MT53E256M32D1KS-046 WT:L MICRON MICT-S-A0018251356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 WT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MT53E256M32D1KS-046 WT:L
MT53E256M32D1KS-046 WT:L
Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 WT
auf Bestellung 3764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+27.95 EUR
10+26.01 EUR
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250+22.3 EUR
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MT53E256M32D1KS-046 WT:L MICT-S-A0018251356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MT53E256M32D1KS-046 WT:L
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 WT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)
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Betriebstemperatur, min.: -25°C
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Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
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