MT53E256M32D2DS-046 AIT:B Micron Technology Inc.
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 28.21 EUR |
| 10+ | 26.10 EUR |
| 25+ | 25.75 EUR |
| 40+ | 25.43 EUR |
| 80+ | 22.28 EUR |
| 230+ | 21.33 EUR |
| 440+ | 21.19 EUR |
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Technische Details MT53E256M32D2DS-046 AIT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote MT53E256M32D2DS-046 AIT:B nach Preis ab 19.98 EUR bis 28.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MT53E256M32D2DS-046 AIT:B | Hersteller : Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AIT |
auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MT53E256M32D2DS-046 AIT:B | Hersteller : MICRON |
 Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 2538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E256M32D2DS-046 AIT:B | Hersteller : MICRON |
auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MT53E256M32D2DS-046 AIT:B | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |