MT53E256M32D2DS-053 AUT:B Micron Technology Inc.
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 34.87 EUR |
| 10+ | 32.46 EUR |
| 25+ | 32.11 EUR |
| 40+ | 31.32 EUR |
| 80+ | 27.49 EUR |
| 230+ | 26.56 EUR |
| 440+ | 25.85 EUR |
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Technische Details MT53E256M32D2DS-053 AUT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, Bauform - Speicherbaustein: WFBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DRAM-Dichte: 8Gbit, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 535ps, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 1.866GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Taktfrequenz: 1.866GHz, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 32 bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote MT53E256M32D2DS-053 AUT:B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | Hersteller : MICRON |
 Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 Bauform - Speicherbaustein: WFBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 8Gbit IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 535ps Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Taktfrequenz: 1.866GHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 32 bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V Automotive 200-Pin WFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | Hersteller : Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AUT |
Produkt ist nicht verfügbar |