MT53E2G32D4DE-046 AIT:C Micron Technology Inc.
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 2G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 2G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 124.17 EUR |
| 10+ | 114.57 EUR |
| 25+ | 110.82 EUR |
| 50+ | 108.02 EUR |
| 100+ | 105.28 EUR |
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Technische Details MT53E2G32D4DE-046 AIT:C Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AIT:C - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 64Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote MT53E2G32D4DE-046 AIT:C
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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MT53E2G32D4DE-046 AIT:C | Hersteller : MICRON |
 Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AIT:C - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E2G32D4DE-046 AIT:C | Hersteller : Micron Technology |
LPDDR4 DRAM Chip |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MT53E2G32D4DE-046 AIT:C | Hersteller : Micron | DRAM LPDDR4 64G 2GX32 FBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |