MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Micron Technology Inc.
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 30.37 EUR |
| 10+ | 28.16 EUR |
| 25+ | 27.27 EUR |
| 50+ | 26.61 EUR |
| 100+ | 25.95 EUR |
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Technische Details MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 WT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit.
Weitere Produktangebote MT53E512M32D1ZW-046 WT:B nach Preis ab 40.44 EUR bis 600.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 WT |
auf Bestellung 1407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 WT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit |
auf Bestellung 1821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B |
Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 WT
DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 WT
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 66.19 EUR |
| 10+ | 60.87 EUR |
| 25+ | 59.08 EUR |
| 50+ | 58.95 EUR |
| 250+ | 58.83 EUR |
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B |
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 WT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 WT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
auf Bestellung 1821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 600.19 EUR |
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B |
Hersteller: Micron Technology
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 56.89 EUR |
| 10+ | 42.44 EUR |
| 25+ | 40.44 EUR |
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B |
Hersteller: Micron Technology
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 56.89 EUR |
| 10+ | 43.38 EUR |
| 25+ | 42 EUR |
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B |
Hersteller: Micron Technology
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 98.63 EUR |