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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B

MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Micron Technology Inc.

Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.52 EUR
10+23.66 EUR
25+22.92 EUR
50+22.36 EUR
100+21.81 EUR
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Technische Details MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 WT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Weitere Produktangebote MT53E512M32D1ZW-046 WT:B nach Preis ab 33.59 EUR bis 81.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Hersteller : Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 WT
auf Bestellung 1407 Stücke:
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Anzahl Preis
1+55.62 EUR
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25+49.65 EUR
50+49.54 EUR
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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Hersteller : MICRON MICT-S-A0015462235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 WT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 969 Stücke:
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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Hersteller : Micron Technology DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray
auf Bestellung 60 Stücke:
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Anzahl Preis
4+47.26 EUR
10+35.25 EUR
25+33.59 EUR
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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Hersteller : Micron Technology DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray
auf Bestellung 60 Stücke:
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4+47.26 EUR
10+35.25 EUR
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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Hersteller : Micron Technology DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray
auf Bestellung 1190 Stücke:
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Anzahl Preis
2+81.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Hersteller : Micron Technology nods.pdf LPDDR4 16G 512MX32 FBGA
auf Bestellung 1149 Stücke:
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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B Hersteller : MICRON TECHNOLOGY Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory
Type of integrated circuit: DRAM memory
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