MTB10N40E onsemi
auf Bestellung 76955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 182+ | 2.77 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MTB10N40E onsemi
Description: ONSEMI - MTB10N40E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.4 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TMOS E-FET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MTB10N40E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MTB10N40E | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MTB10N40E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.4 ohm, D2PAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TMOS E-FET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 78373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| MTB10N40E |
|
auf Bestellung 46830 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |