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MUN2113T1G

MUN2113T1G ON Semiconductor

dta144e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 23980 Stücke:
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Technische Details MUN2113T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN2113T1G MUN2113T1G ON Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 23980 Stücke:
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8000+0.021 EUR
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MUN2113T1G MUN2113T1G ON Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2113T1G MUN2113T1G ON Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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14085+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 14085 Stücke
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MUN2113T1G MUN2113T1G onsemi dta144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 33000 Stücke:
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3000+0.073 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.061 EUR
15000+0.056 EUR
21000+0.054 EUR
30000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN2113T1G MUN2113T1G onsemi DTA144E_D-2310693.pdf Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 17086 Stücke:
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15+0.24 EUR
20+0.17 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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MUN2113T1G MUN2113T1G ONSEMI dta144e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 80...140
auf Bestellung 5985 Stücke:
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358+0.24 EUR
481+0.18 EUR
569+0.15 EUR
1073+0.08 EUR
1678+0.051 EUR
1894+0.045 EUR
3000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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MUN2113T1G MUN2113T1G ONSEMI ONSM-S-A0011214894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
870+0.29 EUR
1247+0.19 EUR
2440+0.088 EUR
2711+0.079 EUR
3226+0.067 EUR
5292+0.04 EUR
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MUN2113T1G MUN2113T1G ONSEMI ONSM-S-A0011214894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10670 Stücke:
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695+0.36 EUR
1244+0.19 EUR
1898+0.11 EUR
2488+0.086 EUR
2986+0.071 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 695 Stücke
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MUN2113T1G MUN2113T1G onsemi dta144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 36344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
93+0.23 EUR
150+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MUN2113T1G ON dta144e-d.pdf 08+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MUN2113T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 23980 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5556+0.032 EUR
8000+0.021 EUR
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MUN2113T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14085+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 14085 Stücke
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MUN2113T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
14085+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 14085 Stücke
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MUN2113T1G dta144e-d.pdf
MUN2113T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.073 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.061 EUR
15000+0.056 EUR
21000+0.054 EUR
30000+0.051 EUR
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MUN2113T1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 17086 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
15+0.24 EUR
20+0.17 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.044 EUR
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MUN2113T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 80...140
auf Bestellung 5985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
358+0.24 EUR
481+0.18 EUR
569+0.15 EUR
1073+0.08 EUR
1678+0.051 EUR
1894+0.045 EUR
3000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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MUN2113T1G ONSM-S-A0011214894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN2113T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
870+0.29 EUR
1247+0.19 EUR
2440+0.088 EUR
2711+0.079 EUR
3226+0.067 EUR
5292+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
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MUN2113T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
695+0.36 EUR
1244+0.19 EUR
1898+0.11 EUR
2488+0.086 EUR
2986+0.071 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 695 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2113T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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56+0.38 EUR
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150+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MUN2113T1G dta144e-d.pdf
Hersteller: ON
08+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH