Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MUN2211T1G
MUN2211T1G

MUN2211T1G ON Semiconductor

dtc114ed.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3461+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3461
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MUN2211T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote MUN2211T1G nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3461+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3461
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 73500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 186300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14085+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.05 EUR
21000+0.05 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2110+0.07 EUR
2115+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.23W
Current gain: 35...60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
715+0.10 EUR
962+0.07 EUR
1067+0.07 EUR
1147+0.06 EUR
2137+0.03 EUR
2263+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.23W
Current gain: 35...60
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
715+0.10 EUR
962+0.07 EUR
1067+0.07 EUR
1147+0.06 EUR
2137+0.03 EUR
2263+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
709+0.21 EUR
1238+0.11 EUR
2088+0.06 EUR
2110+0.06 EUR
2115+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 709
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G
Produktcode: 103955
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller : ON dtc114e-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 36591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+0.26 EUR
18+0.16 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
48000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 52042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+0.32 EUR
93+0.19 EUR
150+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G MUN2211T1G Hersteller : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 149443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH