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MUN2211T1G ON

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Produktcode: 103955
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Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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auf Bestellung 132000 Stücke:
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3485+0.05 EUR
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MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
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3485+0.05 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3485 Stücke
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MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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24000+0.057 EUR
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MUN2211T1G MUN2211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.068 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.094 EUR
9000+0.086 EUR
27000+0.082 EUR
51000+0.074 EUR
102000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 21260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.13 EUR
848+0.1 EUR
1270+0.067 EUR
1539+0.055 EUR
2348+0.036 EUR
2646+0.032 EUR
3049+0.027 EUR
6000+0.026 EUR
9000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
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MUN2211T1G MUN2211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 30173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
502+0.36 EUR
835+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 502 Stücke
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MUN2211T1G MUN2211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
154+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 21998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+0.44 EUR
1255+0.19 EUR
1627+0.13 EUR
1902+0.11 EUR
2193+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
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MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 21998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+0.44 EUR
1255+0.19 EUR
1627+0.13 EUR
1902+0.11 EUR
2193+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
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MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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MUN2211T1G ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf Transistor NPN; 60; 230mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Substitute: MUN2211T3G; MUN2211T1G ONSemiconductors TMUN2211
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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MUN2211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15874+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15874+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 108300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15874+0.042 EUR
100000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15874+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3485+0.05 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3485 Stücke
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MUN2211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3485+0.05 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
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MUN2211T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.068 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.094 EUR
9000+0.086 EUR
27000+0.082 EUR
51000+0.074 EUR
102000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN2211T1G MUN2211.PDF
MUN2211T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 21260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
625+0.13 EUR
848+0.1 EUR
1270+0.067 EUR
1539+0.055 EUR
2348+0.036 EUR
2646+0.032 EUR
3049+0.027 EUR
6000+0.026 EUR
9000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
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MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 30173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
502+0.36 EUR
835+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 502 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
154+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MUN2211T1G 2255300.pdf
MUN2211T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 21998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
572+0.44 EUR
1255+0.19 EUR
1627+0.13 EUR
1902+0.11 EUR
2193+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G 2255300.pdf
MUN2211T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 21998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
572+0.44 EUR
1255+0.19 EUR
1627+0.13 EUR
1902+0.11 EUR
2193+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G dtc114ed.pdf
MUN2211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 60; 230mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Substitute: MUN2211T3G; MUN2211T1G ONSemiconductors TMUN2211
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