Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MUN2212T1G
MUN2212T1G

MUN2212T1G ON Semiconductor

dtc124ed.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6370+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 6370
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MUN2212T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote MUN2212T1G nach Preis ab 0.016 EUR bis 2.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 62700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.047 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 36181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2119+0.068 EUR
2440+0.057 EUR
3000+0.045 EUR
6000+0.037 EUR
9000+0.033 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.026 EUR
30000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 2119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : onsemi DTC124E_D-1773603.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN
auf Bestellung 11237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
19+0.15 EUR
100+0.093 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.046 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 36181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
567+0.25 EUR
920+0.15 EUR
1504+0.089 EUR
2088+0.062 EUR
2399+0.052 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.031 EUR
15000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 567
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 28650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+0.3 EUR
86+0.21 EUR
159+0.11 EUR
500+0.087 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EAB018FD750749&compId=MUN2212.PDF?ci_sign=1438ccdcdd99a1fb568e0c71ceafba830b3072f4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
1670+0.043 EUR
4580+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ONSEMI 2237087.pdf Description: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EAB018FD750749&compId=MUN2212.PDF?ci_sign=1438ccdcdd99a1fb568e0c71ceafba830b3072f4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ONSEMI 2237087.pdf Description: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH