Produkte > ONSEMI > MUN2212T1G
MUN2212T1G

MUN2212T1G onsemi


dtc124e-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MUN2212T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

Weitere Produktangebote MUN2212T1G nach Preis ab 0.014 EUR bis 3.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 5935 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
59+0.44 EUR
64+ 0.41 EUR
117+ 0.22 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 59
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : onsemi DTC124E_D-1773603.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN
auf Bestellung 15636 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
119+0.44 EUR
126+ 0.41 EUR
233+ 0.22 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.096 EUR
3000+ 0.07 EUR
9000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 119
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ONSEMI 2237087.pdf Description: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 11861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ONSEMI 2237087.pdf Description: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 11861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN2212T1G Hersteller : ONSEMI dtc124e-d.pdf MUN2212T1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+3.4 EUR
1060+ 0.067 EUR
2915+ 0.024 EUR
12000+ 0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 21
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN2212T1G MUN2212T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar