Produkte > ONSEMI > MUN2214T1G
MUN2214T1G

MUN2214T1G onsemi


dtc114y-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.047 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MUN2214T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote MUN2214T1G nach Preis ab 0.027 EUR bis 0.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 44461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1188+0.12 EUR
1913+0.074 EUR
2748+0.049 EUR
3379+0.039 EUR
6000+0.037 EUR
15000+0.028 EUR
30000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 1188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 44461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
640+0.23 EUR
675+0.21 EUR
682+0.2 EUR
1178+0.11 EUR
1913+0.063 EUR
2748+0.042 EUR
3379+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 640
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : onsemi DTC114Y_D-2311148.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
auf Bestellung 22048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+0.26 EUR
16+0.18 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.051 EUR
3000+0.044 EUR
9000+0.033 EUR
24000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 10460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+0.3 EUR
86+0.21 EUR
159+0.11 EUR
500+0.087 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : ON Semiconductor DTC114Y_D-1773586.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
auf Bestellung 14485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G Hersteller : ONSEMI dtc114y-d.pdf MUN2214T1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
479+0.15 EUR
2128+0.034 EUR
2253+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 479
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH