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MUN2214T1G

MUN2214T1G ON Semiconductor

dtc114y-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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Technische Details MUN2214T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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6000+0.031 EUR
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21000+0.021 EUR
24000+0.019 EUR
30000+0.018 EUR
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MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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3000+0.05 EUR
6000+0.047 EUR
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7576+0.015 EUR
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30000+0.077 EUR
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MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EAB7056B158749&compId=MUN2214.PDF?ci_sign=c3eecd8743f76b9ee4829af3d87d6336d6190300 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
417+0.17 EUR
562+0.13 EUR
820+0.087 EUR
979+0.073 EUR
1446+0.049 EUR
2513+0.028 EUR
2646+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EAB7056B158749&compId=MUN2214.PDF?ci_sign=c3eecd8743f76b9ee4829af3d87d6336d6190300 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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647+0.22 EUR
1132+0.12 EUR
1161+0.11 EUR
1223+0.1 EUR
1257+0.093 EUR
1292+0.087 EUR
3000+0.084 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 647
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MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : onsemi DTC114Y_D-1773586.pdf Digital Transistors 50 V Dual NPN BiPolar DRT
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20+0.15 EUR
100+0.093 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.048 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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59+0.3 EUR
86+0.21 EUR
159+0.11 EUR
500+0.087 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : ON Semiconductor DTC114Y_D-1773586.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
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MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : ONSEMI dtc114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4877 Stücke:
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MUN2214T1G MUN2214T1G Hersteller : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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