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MUN2214T1G

MUN2214T1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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Technische Details MUN2214T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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3847+0.045 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.029 EUR
15000+0.027 EUR
21000+0.026 EUR
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MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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3847+0.045 EUR
6000+0.039 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.027 EUR
24000+0.026 EUR
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MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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MUN2214T1G MUN2214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 97118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1471+0.12 EUR
2786+0.061 EUR
4150+0.039 EUR
5182+0.03 EUR
6579+0.023 EUR
7576+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1471 Stücke
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MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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1223+0.14 EUR
1292+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
30000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1223 Stücke
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MUN2214T1G MUN2214T1G ONSEMI MUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 33799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
589+0.14 EUR
875+0.098 EUR
1044+0.081 EUR
1530+0.056 EUR
1767+0.048 EUR
3000+0.039 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+0.27 EUR
1132+0.15 EUR
1161+0.14 EUR
1191+0.13 EUR
1223+0.12 EUR
1257+0.12 EUR
1292+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
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MUN2214T1G MUN2214T1G onsemi DTC114Y_D-1773586.pdf Digital Transistors 50 V Dual NPN BiPolar DRT
auf Bestellung 11910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.29 EUR
20+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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MUN2214T1G MUN2214T1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 10460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
86+0.25 EUR
159+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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MUN2214T1G MUN2214T1G ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
622+0.4 EUR
1086+0.21 EUR
1698+0.13 EUR
2067+0.1 EUR
2393+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
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MUN2214T1G MUN2214T1G ON Semiconductor DTC114Y_D-1773586.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
auf Bestellung 14485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MUN2214T1G MUN2214T1G ONSEMI dtc114y-d.pdf Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6370+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 6370 Stücke
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MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3847+0.045 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.029 EUR
15000+0.027 EUR
21000+0.026 EUR
24000+0.023 EUR
30000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3847 Stücke
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MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3847+0.045 EUR
6000+0.039 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.027 EUR
24000+0.026 EUR
30000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3847 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 47150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2214T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.06 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 97118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1471+0.12 EUR
2786+0.061 EUR
4150+0.039 EUR
5182+0.03 EUR
6579+0.023 EUR
7576+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1471 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1223+0.14 EUR
1292+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
30000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G MUN2214.PDF
MUN2214T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 33799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
589+0.14 EUR
875+0.098 EUR
1044+0.081 EUR
1530+0.056 EUR
1767+0.048 EUR
3000+0.039 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
647+0.27 EUR
1132+0.15 EUR
1161+0.14 EUR
1191+0.13 EUR
1223+0.12 EUR
1257+0.12 EUR
1292+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G DTC114Y_D-1773586.pdf
MUN2214T1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 50 V Dual NPN BiPolar DRT
auf Bestellung 11910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+0.29 EUR
20+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G dtc114y-d.pdf
MUN2214T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 10460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+0.36 EUR
86+0.25 EUR
159+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2214T1G 2353855.pdf
MUN2214T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
622+0.4 EUR
1086+0.21 EUR
1698+0.13 EUR
2067+0.1 EUR
2393+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
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MUN2214T1G DTC114Y_D-1773586.pdf
MUN2214T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
auf Bestellung 14485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2214T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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