MUN2215T1G ON Semiconductor
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Technische Details MUN2215T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN2215T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote MUN2215T1G nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.33 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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MUN2215T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MUN2215T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN2215T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V |
auf Bestellung 6313 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN2215T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
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MUN2215T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V |
auf Bestellung 28715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN2215T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2215T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN2215T1G |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MUN2215T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
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