MUN2215T1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.056 EUR |
| 6000+ | 0.052 EUR |
| 9000+ | 0.043 EUR |
| 30000+ | 0.042 EUR |
| 75000+ | 0.038 EUR |
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Technische Details MUN2215T1G onsemi
Description: ONSEMI - MUN2215T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MUN2215T1G nach Preis ab 0.048 EUR bis 0.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MUN2215T1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V |
auf Bestellung 6303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN2215T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 338 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN2215T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V |
auf Bestellung 28715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN2215T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2215T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN2215T1G |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |