MUN2232T1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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Technische Details MUN2232T1G onsemi
Description: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.
Weitere Produktangebote MUN2232T1G nach Preis ab 0.062 EUR bis 0.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MUN2232T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V |
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MUN2232T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN2232T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
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| MUN2232T1G |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MUN2232T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MUN2232T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MUN2232T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MUN2232T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MUN2232T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
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MUN2232T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
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