Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MUN2235T1G
MUN2235T1G

MUN2235T1G ON Semiconductor

dtc123j-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.041 EUR
100000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MUN2235T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 230 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Weitere Produktangebote MUN2235T1G nach Preis ab 0.031 EUR bis 0.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MUN2235T1G MUN2235T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.041 EUR
100000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2235T1G MUN2235T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3216+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.038 EUR
12000+0.036 EUR
15000+0.034 EUR
30000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3216
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2235T1G MUN2235T1G Hersteller : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.051 EUR
6000+0.046 EUR
15000+0.04 EUR
30000+0.036 EUR
75000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2235T1G MUN2235T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.053 EUR
6000+0.047 EUR
9000+0.044 EUR
12000+0.042 EUR
15000+0.04 EUR
30000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2235T1G MUN2235T1G Hersteller : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 128829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+0.3 EUR
69+0.26 EUR
125+0.14 EUR
500+0.087 EUR
1000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2235T1G MUN2235T1G Hersteller : ON Semiconductor 644422848155887dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2235T1G Hersteller : onsemi DTC123J_D-1387473.pdf Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 13970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
19+0.15 EUR
100+0.093 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.048 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2235T1G MUN2235T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2235T1G MUN2235T1G Hersteller : Sanyo ONSM-S-A0003071180-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN2235T1G Hersteller : ONSEMI dtc123j-d.pdf ONSM-S-A0003071180-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
Quantity in set/package: 3000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH