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MUN5112T1G

MUN5112T1G ON Semiconductor

dta124ed.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details MUN5112T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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MUN5112T1G MUN5112T1G Hersteller : onsemi DTA124E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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MUN5112T1G Hersteller : ONSEMI ONSMS38500-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5112T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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