MUN5112T1G ON Semiconductor
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Technische Details MUN5112T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.
Weitere Produktangebote MUN5112T1G nach Preis ab 0.019 EUR bis 0.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MUN5112T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5112T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5112T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
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MUN5112T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MUN5112T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP |
auf Bestellung 9435 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MUN5112T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
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MUN5112T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5112T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5112T1G |
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auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MUN5112T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5112T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 467900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5112T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MUN5112T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
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