Produkte > ONSEMI > MUN5130DW1T1G
MUN5130DW1T1G

MUN5130DW1T1G onsemi

dta113ed-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.093 EUR
6000+0.083 EUR
9000+0.079 EUR
15000+0.073 EUR
21000+0.069 EUR
30000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MUN5130DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 1kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote MUN5130DW1T1G nach Preis ab 0.074 EUR bis 0.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5130DW1T1G MUN5130DW1T1G onsemi dta113ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 41950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
76+0.27 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5130DW1T1G MUN5130DW1T1G onsemi DTA113ED_D-2310978.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 11568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.64 EUR
10+0.44 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.096 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5130DW1T1G dta113ed-d.pdf
MUN5130DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 41950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+0.44 EUR
76+0.27 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5130DW1T1G DTA113ED_D-2310978.pdf
MUN5130DW1T1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 11568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.64 EUR
10+0.44 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.096 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH